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清华大学取得CN114861925B专利，提高了离子阱的集成度

2024-06-03 【字体：大中小】

　　2024年3月21日消息，据国家知识产权局公告，清华大学取得一项名为“一种电容、滤波电路芯片、表面芯片离子阱及量子计算机“，授权公告号CN114861925B，申请日期为2022年4月。

　　专利摘要显示，本文公开一种电容、滤波电路芯片、表面芯片离子阱及量子计算机，表面芯片离子阱包括：安装于表面芯片离子阱底部的滤波电路芯片，滤波电路芯片包含一个以上滤波电路，各滤波电路分别与表面芯片离子阱的其中一个直流电极连接，滤波电路包括按照预设线路分布连接的电阻和电容；电容的正电极、接地电极和半导体介质以平行板镀层的形式制备在半导体基底上；半导体介质为U形结构，接地电极位于U形结构的外围，正电极位于U形结构的中心。本发明实施例上述电容可通过微纳加工工艺制备，降低了滤波电路制备的复杂度，基于上述电容制备的滤波电路芯片为离子阱上提供了多通道滤波电路，在消除离子阱电学信号噪声串扰的同时，提高了离子阱的集成度。

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